SK hynix’in 30 yıllık DRAM planı ortaya çıktı: 3D bellek ve dikey kapı teknolojisiyle sınırlar yeniden çizilecek

Yeni nesil bellek tasarımında köklü değişiklik
Güney Kore merkezli yarı iletken üreticisi SK hynix, Japonya’nın Kyoto şehrinde düzenlenen IEEE VLSI 2025 Sempozyumu’nda dikkat çeken bir sunum gerçekleştirdi. Şirketin Teknoloji Direktörü Cha Seon Yong, DRAM alanındaki yeni vizyonlarını açıkladı. Paylaşılan 30 yıllık yol haritasında, sektörün fiziksel sınırlara dayanması nedeniyle mimari ve malzeme tarafında radikal yeniliklere gidileceği vurgulandı.

4F² VG mimarisi ile daha yoğun DRAM hücreleri
Yong, geleneksel 6F² mimarilerinin yerini alması beklenen 4F² VG (Vertical Gate – Dikey Kapı) tasarımına dikkat çekti. Bu mimari, bellek hücrelerinin daha küçük alanlara sığmasını sağlarken, hücre devrelerinin alt kısma alınması sayesinde hem alan verimliliği hem de elektriksel performans artışı sağlıyor. Bu gelişme, DRAM üretiminde yoğunluğun artırılması açısından önemli bir adım olarak değerlendiriliyor.

3D DRAM teknolojisi stratejik öncelik haline geldi
Şirketin uzun vadeli planlarında 3D DRAM mimarisi ‘ana yapı taşı’ olarak konumlandırılıyor. Katmanlı yapısıyla hücreleri dikey düzlemde yerleştiren bu teknoloji, yatay düzlemdeki sınırlamaların aşılmasına olanak tanıyacak. Sektörde, katman sayısı arttıkça maliyetlerin de yükseldiğine dair endişeler bulunsa da, SK hynix bu engelin sürekli inovasyonla aşılabileceğini savunuyor.

Yeni teknolojilerle 10nm altına iniş hedefleniyor
Cha’nın açıklamalarına göre SK hynix, özellikle 10 nanometre altı üretim süreçlerinde yeni nesil malzeme ve bileşenleri hayata geçirerek rekabet avantajı sağlamayı amaçlıyor. Yol haritası, yalnızca performans artışına değil, aynı zamanda daha sürdürülebilir ve maliyet verimli çözümlere de odaklanıyor.

Kaynak: CUMHA - CUMHUR HABER AJANSI