NEO Semiconductor 3D X-DRAM ile RAM kapasitesini 10 katına çıkaracak teknoloji geliştirdi

512 Gb kapasite ve 10 ns erişim süresi
NEO’nun simülasyon verilerine göre 3D X-DRAM teknolojisi, tek bir bellek modülünde 512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, şu anda yaygın olarak kullanılan DRAM çözümlerinin oldukça üzerinde bir değer olarak dikkat çekiyor. Bellek hücreleri, yalnızca 10 nanosaniyelik okuma/yazma süresi ve 9 dakikadan uzun veri tutma süresiyle yüksek performans vadediyor.

IGZO tabanlı yığılabilir mimari
Yeni tasarımda, indiyum galyum çinko oksit (IGZO) kullanılarak hücrelerin üst üste dizilebildiği bir yapı tercih ediliyor. Bu kristal yapı, genellikle ekran teknolojilerinde görülse de, bellek üretiminde 3D NAND benzeri bir yığılma imkânı sağlıyor. Böylece hem alan verimliliği artıyor hem de enerji tüketimi minimize ediliyor.

Mevcut üretim altyapısıyla uyumlu
NEO Semiconductor, yeni teknolojinin mevcut 3D NAND üretim altyapılarına entegre edilebileceğini ve büyük ölçekli sermaye yatırımlarına gerek kalmadan üretime geçilebileceğini belirtiyor. Bu da teknolojinin daha hızlı ticarileşmesinin önünü açıyor.

Sektörde rekabet artıyor
Yeni teknoloji, bu ay düzenlenecek IEEE IMW etkinliğinde daha ayrıntılı şekilde tanıtılacak. Ancak NEO yalnız değil. FeRAM tabanlı alternatif DRAM çözümleri ve SK hynix gibi büyük üreticilerin çalışmaları da sektördeki rekabeti artırıyor. Buna rağmen, 512 Gb'lik modüllerle dikkatleri üzerine çeken NEO’nun, 2026 yılında test yongalarını üretmesi bekleniyor. Şirketin yol haritası ise 2030 yılına kadar 1 terabit kapasiteli entegre devrelere ulaşmayı hedefliyor. Bu kapasite, tek bir RAM modülünde 2 TB’a kadar veri saklama olanağı sunabilir.

Kaynak: CUMHA - CUMHUR HABER AJANSI